Micron -LPDDR5X：美光低功耗移动 DRAM 凭借更高性能和能效提升 AI 体验

　　要想在边缘设备上运行生成式 AI 应用，使用高性能、低功耗的移动内存至关重要。美光向全球智能手机制造商和芯片组供应商提供业界前沿的高带宽、低功耗内存产品，用于设计旗舰级智能手机。
　　美光新推出的 9.6 Gbps LPDDR5X 内存解决方案再次刷新功耗记录，目前正在向移动生态系统送样。这款解决方案可为 AI 密集型应用提供持续的高带宽能力，并能够进一步提高能效。电池续航方面，终端用户每多使用一分钟，都意味着用户体验的改善。在上代产品的功耗已达到业界前沿水平的基础上，新推出的 9.6 Gbps 内存解决方案进一步将功耗降低了 4%。1 为了更直观地理解这一数字，我们不妨以视频播放为例：一家知名智能手机供应商称，其旗舰机型可支持长达 23 小时的视频播放。如果手机内部各组件的功耗均降低 4%，终端用户可多播放一个小时视频，总播放时间可达 24 小时。2 这相当于您能够多欣赏两集节目，再给手机充电。
　　终端用户需要更节能的智能手机
　　消费者调查显示，智能手机的续航时间是终端用户的主要痛点，也是智能手机制造商着力改进的关键领域。71% 的智能手机用户表示，续航时间是他们购买新手机时最看重的要素。用户对续航时间的关注度远远超过设备耐用性 (61%)、相机质量 (48%) 和 5G 连接 (24%) 等其他关键要素。

　

　　美光引领 LPDDR5X 创新
　　美光率先上市的 1 (1-beta) 工艺节点在节能方面表现优异。利用增强型动态电压和频率调节扩展核心 (eDVFSC) 技术以及第二代高 K 金属栅极 (HKMG) 技术，该节点实现了前所未有的节能效果。这种前沿技术可显著降低功耗，并可灵活地按照工作负载提供定制的功耗和性能。除了节能之外，1β 工艺节点还将峰值带宽提高了 12% 以上。3 这些功耗和带宽方面的改进可有效改善边缘设备上的 AI 体验。

　　1：业界前沿 DRAM 技术
　　用于旗舰智能手机的高带宽、高能效移动内存
　　关键特性：
　　● 前沿图案倍增光刻技术
　　● 进一步巩固 LPDDR5 领域的优势地位
　　● 改进的功耗和性能
　　● 提供功耗更低的新一代 9.6Gbps 样品
　　高性能、低功耗内存加速边缘设备上的 AI 应用
　　随着 AI 相关用例和应用在旗舰智能手机中的普及，预计未来这些应用将逐步进入高端和中端设备。据 Counterpoint Research 在今年初预测，到 2027 年，全球 AI 智能手机的出货量将超过 10 亿部，显示出移动生态系统和终端用户对 AI 的巨大需求和快速采用趋势。随着基础 AI 模型的不断进步，如今的 AI 可提供更复杂、更精确的反馈，新的 AI 用例也不断涌现，为了有效驱动 AI 引擎，确保卓越终端用户体验，高性能、低功耗内存将变得更加重要。
　　边缘 AI 目前正处于起步阶段，移动生态系统面临许多机遇和挑战。只有克服这些挑战，边缘 AI 才能充分发挥自身潜力并得到大规模采用。边缘 AI 的优势显而易见，包括数据的安全性和隐私保护、无需依赖云端的即时响应能力，以及更低的基础架构成本。边缘 AI 相关硬件、软件和架构方面的挑战仍然有待探索，基础模型的标准制定工作仍在巩固当中。美光将继续站在行业前沿，为当今和未来的 AI 提供能够加速创新的解决方案。