Yole ：预计2029 年，SiC 器件市场预计将达到近 100 亿美元

　　Yole Group 表示，到 2029 年，SiC 器件市场预计将达到近 100 亿美元，23-29 年的复合年增长率为 25%，预计 SiC 在电力电子市场的市场份额将在未来 5 年内翻一番，达到 26%。
　　Yole Group 和 SERMA Technologies 联合对 SiC MOSFET 行业进行了分析。
　　他们比较了五种SiC MOSFET的性能：Wolfspeed（C3M0075120D）、ROHM（SCT3080KLHR）、Infineon（AIMW120R080M1）、STMicroelectronics（SCTW40N120G2VAG）和Anbonsemi（AS1M080120P）。
　　1200V SiC MOSFET是BEV向800V系统过渡的推动者。事实上，SiC MOSFET已成为电力电子领域的关键，以其卓越的性能特性改变了众多应用。

　　SiC MOSFET具有令人印象深刻的高击穿电压、低导通电阻和出色的导热性，使其成为高频和高温环境中功率开关器件的理想选择。

　

   比较分析包 括对导通电阻、漏源电压、阈值电压、击穿电压和各种工作条件下的泄漏电流等关键指标的评估。

　　该报告还展示了被测设备的重要参数的数据和图表，包括在各种温度（-55°C至175°C）下测试的RDS（on）（VGS）、RDS（on）（IDS）、VDS、VGS（th）、VBR（DSS）、IDSS、IGSS、QG、IDS（VDS）和ISD（VSD）。例如，对Vgs（th）的温度演变和击穿电压Vbr进行了表征，以评估被比较器件在温度范围内的温度稳定性行为。
　　Yole 的 Pierre-Emmanuel Blanc 说：“性能测试在各种温度（-55°C、-40°C、25°C、150°C、175°C）下进行，并遵守 JEDEC 规范和标准，例如 JESD 24 和 JEP 183，报告中概述的测试协议涉及为每个参考测试三个 DuT。
　　据称，这种第三方客观分析是在相同的测试条件下进行的，其性能比较比器件数据表通常提供的性能更可靠。
　　Yole对所有设备进行了物理分析，包括光学和SEM图像，以及封装开口和芯片横截面的详细测量。编译这些参数是为了便于全面分析它们对设备性能的影响。