铠侠推出第八代BiCS FLASHTM QLC闪存,为业界带来领先的2Tb最大容量

时间:2024-07-05
  铠侠株式会社今日宣布,其采用第八代BiCS FLASHTM 3D闪存技术的2Tb四级单元 (QLC) 存储器已开始送样(1)。这款2Tb QLC存储器拥有业界最大容量(),将存储器容量提升到一个全新的水平,将推动包括人工智能在内的多个应用领域的增长。
  凭借其最新的BiCS FLASH技术,通过专有工艺和创新架构,铠侠实现了存储芯片的纵向和横向缩放平衡。此外,铠侠还开发了突破性的CBA(CMOS directly Bonded to Array,外围电路直接键合到存储阵列)(3)技术,以提供更高的位密度和业界领先的接口速度(3.6Gbps(4))。这些先进技术的应用,共同促成了2Tb QLC存储器的诞生,成就了业界容量最大的存储器。
  全新的第八代BiCS FLASH2Tb QLC的位密度比铠侠目前所采用的第五代BiCS FLASH的QLC产品提高了约2.3倍,写入能效比提高了约70%。不仅如此,全新的QLC产品架构可在单个存储器封装中堆叠16个芯片,为业界提供领先的4TB容量,并采用更为紧凑的封装设计,尺寸仅为11.5 x 13.5 mm,高度为1.5 mm。
  Pure Storage公司(全球领先的数据存储技术和服务提供商)的首席执行官Charles Giancarlo强调了铠侠新技术对其公司平台的重要意义:“我们与铠侠保持着长期的合作关系,很高兴能将他们的第八代BiCS FLASH? 2Tb QLC闪存产品整合到我们的全闪存存储解决方案中。Pure Storage的统一全闪存数据存储平台不仅能够满足人工智能的严苛要求,还能实现极具竞争力的备份存储成本。在铠侠技术的支持下,Pure Storage将继续提供卓越的性能、能效和可靠性,为客户创造超凡价值。”
  “我们很高兴全新第八代BiCS FLASH?技术的2Tb QLC开始送样,”铠侠首席技术官Hideshi Miyajima表示,“铠侠2Tb QLC产品凭借其业界领先的高位密度、高速传输接口和卓越的能效比,将为快速发展的人工智能应用,以及对功耗和空间要求严苛的大容量存储应用带来新的价值。”
  除2Tb QLC之外,铠侠还推出了1Tb QLC版本。相较于容量优化的2Tb QLC,1Tb QLC的顺序写入性能还能再提升约30%,读取延迟提升约15%。1Tb QLC更适用于高性能领域,包括客户端SSD和移动设备。
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