瑞萨电子与 Transphorm 达成交易后推出 GaN 功率晶体管

　　瑞萨电子已完成对 GaN 晶体管制造商 Transphorm 的收购。
　　瑞萨电子表示：“随着此次收购的完成，瑞萨电子将立即开始提供基于 GaN 的电源产品和相关参考设计，以满足对宽带隙半导体产品日益增长的需求。”“投资电源业务是瑞萨电子战略的重要组成部分。”
　　该公司最近在这方面采取的其他举措包括：开设甲府工厂，在 300 毫米晶圆上生产电源产品，在高崎工厂扩大碳化硅器件生产线，并与 Wolfspeed 签署 10 年 SiC 晶圆供应协议
　　Transphorm 总部位于加利福尼亚州戈利塔，成立于 2007 年。
　　其技术为共源共栅：将低压增强型硅 mosfet 与高压（650 或 900V）耗尽型 GaN hemt 以共源共栅配置共同封装。
　　结果是可以使用用于硅 MOSFET 的传统驱动器而不是 GaN 专用驱动器进行切换的设备。