Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求

时间:2024-06-13
  Nexperia今天宣布,其一流的650  V、10  A碳化硅(SiC)肖特基二极管现已符合汽车标准(PSC1065H-Q),并采用真双引脚(R2P) DPAK  (TO-252-2)封装,适用于电动汽车和其他汽车中的多种应用。此外,为了进一步扩展其SiC二极管产品组合,Nexperia现还提供采用TO-220-2、TO-247-2和D2PAK-2封装的额定电流为6  A、16  A和20  A的工业级器件,以提高设计灵活性。这些二极管解决了要求高电压和高电流的应用的挑战,包括开关电源、AC-DC和DC-DC转换器、电池充电基础设施、电机驱动器、不间断电源以及用于可持续能源生产的光伏逆变器。

 

  这些器件采用合并PiN肖特基(MPS)结构,比类似的竞争SiC二极管具有更多优势,包括出色的抗浪涌电流能力。这样就无需额外的保护电路,显著降低系统复杂性,使硬件设计人员能够在耐用型高功率应用中,以更小的外形尺寸实现更高的效率。Nexperia在各种半导体技术中拥有始终如一的品质,让设计人员对这些二极管的可靠性充满信心。
  此外,Nexperia的“薄型SiC”技术提供了更薄的衬底(为其原始厚度的三分之一),大大降低了从结到背面金属的热阻。由此带来了诸多好处,包括工作温度更低、可靠性更高、设备寿命更长、抗浪涌电流的能力更强、正向压降更低。
  Nexperia资深总监兼SiC二极管和FET产品组负责人Katrin  Feurle说道:“市场对SiC二极管的首次发布反响非常热烈。它们已经在设计中证明了自己的实力,工业应用的电源便是一个非常引人瞩目的示例,客户取得了特别好的结果。这些二极管的卓越反向恢复性能意味着在实际使用中将具有较高效率。我们非常高兴推出我们第一款符合汽车标准的产品,并且它的性能和可靠性已经得到主要汽车厂商的认可。”
上一篇:纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs, 促进AI数据中心功率提升,加快电动汽车充电速度
下一篇:禾迈发布全球首台功率高达 5000 W大微逆,开启微逆大时代

免责声明: 凡注明来源本网的所有作品,均为本网合法拥有版权或有权使用的作品,欢迎转载,注明出处。非本网作品均来自互联网,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。