ST - 意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效

　　STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。

　　这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷，兼备很低的能量损耗和优异的开关性能，同时，品质因数成为新的市场标杆。与上一代产品相比，意法半导体最新的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压(VGS(th)) 分布更窄，使开关波形更加锐利，导通和关断损耗更低。
　　此外，新产品还提高了体二极管反向恢复性能，所采用新的优化工艺提高了 MOSFET 的整体鲁棒性。体二极管的低反向恢复电荷 (Qrr) 和快速恢复时间 (trr) 使MDmesh DM9 AG系列非常适对能效要求很高的相移零压开关拓扑。
　　该系列提供各种通孔和表面贴装封装，帮助设计人员实现紧凑的外形尺寸、高功率密度和系统可靠性。TO-247 LL（长引线）是一种深受市场欢迎的通孔封装，可以简化器件在设计中的集成，并沿用成熟的封装工艺。在表面贴装封装中，H2PAK-2（2 引线）和 H2PAK-7（7 引线）适用于有散热基板的底部散热设计或有热通孔或其他增强散热功能的 PCB板。两款新产品还提供 HU3PAK和ACEPACK SMIT顶部散热表面贴装封装。
　　STPOWER MDmesh DM9 AG系列的第一款产品STH60N099DM9-2AG，是一款采用H2PAK-2封装符合 AEC-Q101标准的 27A N沟道 600V 器件，典型导通电阻 RDS(on) 为 76mΩ。 意法半导体将扩大该产品系列，提供型号齐全的产品，涵盖更宽的额定电流范围和 23mΩ 到 150mΩ 的 导通电阻RDS(on)。