具有 GaN 输出的 700W/通道 D 类音频放大器设计

　　EPC 使用 GaN 晶体管创建高功率 D 类双通道音频功率放大器设计。

　　它在评估套件 EPC9192 中实例化，能够将 700W/通道推入 4Ω（或 2Ω），或将 350W/通道推入 8Ω。桥接两个通道可将 1.4kW 驱动至 4 至 8Ω。

　　每个通道的关键组件是子卡上的一对 200V EPC2307 GaN 晶体管（由 Onsemi NCP51820 栅极驱动器控制）和另一个子卡上的 PWM。
　　向 EPC 致敬，因为 PWM 不是现成的 IC，而是由运算放大器和比较器组合而成的自振荡设计（~600kHz），更重要的是，在数据表中，该公司采用了是时候从 Williamson (Carver) 和 Veltman 的设计中汲取灵感了。
　　EPC 声称 <0.005% THD+N、>120dB 信噪比、40μV 本底噪声，并且“无论负载如何”从 5Hz 到 20kHz 平坦至 0.5dB。
　　查看数据表，在更广泛的频率和功率输出范围内，THD+N <0.05% 是正确的，甚至在 1kHz、4Ω 时功率高达 600W。
　　输入和输出以地为参考，并且需要两个输入轨，电压介于±42V和±85V之间——底端不需要散热器，顶端需要一对散热器和强制空气。没有附带的 PSU 设计。