80V 对称双 N 沟道 MOSFET，尺寸为 3 x 3mm

　　New Yorker Electronics 的目标是通过在 Vishay 的单个 3.3 x 3.3mm 封装中存储一对对称 80V n 沟道 MOSFET 来取代 PowerPAK 1212 封装 MOSFET。
　　Vishay SiZF4800LDT 双 MOSFET cct

　　据《纽约客》报道，该器件名为 SiZF4800LDT，“为设计人员提供了用于同步降压转换器、负载点转换器以及半桥和全桥功率级的节省空间的解决方案”。“在这些应用中，高侧和低侧 MOSFET 形成了 50% 占空比的优化组合，而其逻辑电平在 4.5V 时开启，简化了电路驱动。”

　　Vishay SiZF4800LDT 双 MOSFET
　　在充分散热的情况下，最大连续漏极电流为 29A (70°C)，但在 25 x 25mm 方形 FR4 PCB 中，实际电流低于 10A。
　　4.5V 驱动器的最大总栅极电荷为 11nC，10V 驱动器的最大总栅极电荷为 23nC（40V 10A 漏极-源极）。
　　栅极电压为 4.5V 时的导通电阻为 24mΩmax。