隔离 GaN 栅极驱动器无需高侧自举

　　Allegro MicroSystems 为 GaN 功率晶体管创建了一款隔离式栅极驱动器 IC，无需高侧自举，也无需提供次级侧驱动电源电压。
　　Allegro AHV85111 隔离栅极驱动器模块

　　相反，AHV85111 内的 DC-DC 转换器会产生次级侧直流电源轨（一正一负），以通过初级侧的 12V 电源 (10.8 – 13.2V) 提供栅极驱动电源。

　　单个内部隔离变压器将 dd-dc 电源以及 PWM 波形从初级侧传输到次级侧。
　　相对于 GaN 晶体管的源极连接，隔离的次级电源标称值为 +6V 和 -6V。提供反馈引脚以允许调节正电压，而负电压轨将是未调节但相关的电压 - 请参阅数据表。
　　初级侧和隔离侧之间的总寄生电容通常<1pF。
　　Allegro 表示，输出驱动器的恒定电源“允许在开关电源拓扑中的任何位置驱动浮动开关”，包括保持驱动设备持续开启。
　　但需要注意的是，少量 DC-DC 转换器输出功率也可用于为外部电路供电。
　　从输入到驱动栅极，传播延迟（向上或向下）通常为 50ns（最大值 100ns），栅极电阻为 2Ω，电阻为 0Ω，上升时间为 9ns，下降时间为 7ns（均为 20-80%，最大值均为 15ns） ）。
　　最小或或关闭时间为 100ns。
　　高侧驱动电流高达 2A，下拉电流高达 4A。
　　CMTI（共模瞬变抗扰度）>100V/ns，该器件经批准可承受 5kVrms (UL 1577) 和高达 8kV 的瞬变电压
　　爬电距离和电气间隙为 8.4mm，可在 200μm 屏障上以 1kVpeak 或 700Vrms 连续工作。
　　Allegro 表示：“高 CMTI 与偏置电源和驱动的隔离输出相结合，使其成为需要隔离、电平转换或接地隔离以实现抗噪能力的应用的理想选择。”
　　功能包括初级和次级偏置轨上的欠压锁定、输入引脚和正输出引脚上的内部下拉以及过温关断——芯片工作温度为 -40 至 +125°C。
　　预计其应用领域包括电动汽车动力系统、电动汽车车载充电器、太阳能微型逆变器和数据中心 PSU。