DNP开发出用于3纳米EUV光刻的光掩膜工艺

　　Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP) (TOKYO: 7912)成功开发出一种光掩膜制造工艺，能够适应3纳米（10-9米）光刻工艺，以支持半导体制造的尖端工艺——极紫外(EUV)光刻。

　　

　　能够支持3纳米EUV光刻的光掩膜（照片：美国商业资讯）
　　DNP不断满足半导体制造商对性能和质量的要求。2016年，我们成为全球首家推出多光束掩膜写入器(MBMW)的商业光掩膜制造商。2020年，我们开发出适用于5纳米EUV光刻工艺的光掩膜制造工艺，并一直在供应满足半导体市场需求的掩膜。在此次最新的进展中，为了满足进一步微型化的需求，我们开发出了能够支持3纳米工艺的EUV光刻用光掩模。
　　DNP于2016年推出的MBMW能够发射约26万束电子束，即使图案形状复杂，也能显著缩短光刻时间。此次，我们利用该设备的特点改进了制造工艺，同时优化了数据校正技术和加工条件，以匹配EUV光刻所用光掩膜的复杂曲面图案结构。
　　DNP已安装了新的MBMW，并计划于2024年下半年开始投入使用。我们还将加强对半导体制造先进领域的支持，如EUV光刻所用的光掩膜。
　　DNP将与总部设在比利时的国际尖端研究机构校际微电子中心(imec)共同推进用于下一代EUV曝光设备的EUV光掩膜的开发。
　　DNP将向全球半导体相关制造商提供新开发的能够支持3纳米EUV光刻的光掩膜。此外，我们还将支持开发EUV光刻的外围技术，目标是在2030年实现100亿日元的年销售额。