英飞凌推出全新62 mm封装CoolSiC产品组合，助力实现更高效率和功率密度

　　英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用，而传统IGBT硅技术在这一功率等级应用的的功率密度已达极限值。相比传统的62mm IGBT 模块，其应用范围现已扩展至太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引、商用感应电磁炉和功率转换系统等。

　　英飞凌推出采用62 mm封装的CoolSiC MOSFET产品组合
　　增强型M1H技术能够显著拓宽栅极电压窗口，即使在高开关频率下，不需任何限制，也能确保栅极应对驱动器和布局引起的感应电压尖峰的高可靠性。此外，极低的开关损耗和传输损耗可以最大限度地降低冷却需求。结合高反向电压，这些半导体器件还可满足现代系统设计的另一项要求。借助英飞凌CoolSiCTM芯片技术，转换器的设计可以变得更有效率，单个逆变器的额定功率得以进一步提高，从而降低整体系统成本。
　　配备铜基板和螺纹接口，该封装具有高鲁棒性的机械设计，可提高系统可用性、降低服务成本和减少停机损失。通过强大的热循环能力和150°C的连续运行结温（Tvjop）实现出色的可靠性。其对称的内部封装设计使得上下开关具有相同的开关条件。可以选装预涂热界面材料（TIM），进一步提高模块的热性能。