优于 TO247 顶侧冷却 SMD 封装，适用于 650V 汽车 MOSFET

　　英飞凌已将其 CFD7A 产品组合中的 650V MOSFET 芯片放入表面贴装封装中，“与著名的 TO247 通孔器件相比，其电气性能得到了改善，从而实现了车载充电器和 DC-DC 转换器的高效能源利用”。

　

　　英飞凌 QDPAK TSC loRes
　　“QDPAK TSC”是今年早些时候发布的顶侧冷却封装（参见图片），现已在 JEDEC 注册 - 同时它还透露了与 TO220 类似的封装，称为 DDPAK。
　　选择 650V 17mΩ（最大值）IPDQ65R017CFD7A，它可以在 100°C 时承载 86A（在 25°C 时承载 136A），并在 -40 至 +125°C 之间的结点下运行。
　　结壳电阻为 0.18°C/W，25°C 时功耗高达 694W。
　　在 400V、61.6A 漏极和 0-10V 栅极时，总栅极电荷为 236nC。为栅极驱动提供单独的源极连接以帮助切换。