全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,推出专用近红外版本的单光子雪崩二极管(SPAD)器件组合。与2021年发布的前一代SPAD保持同步,新版本也是基于X-FAB 180纳米工艺的XH018平台。得益于在制造过程中增加的额外工艺流程,在保持同样低的本底噪声水平的同时,显著增强信号,而且不会对暗计数率、后脉冲和击穿电压等参数产生负面影响。
X-FAB通过推出这一最新版本的产品,成功丰富了其SPAD产品的选择范围,提升了解决众多视近红外功能至关重要的新兴应用能力。这些新兴应用涵盖了飞行时间传感、车辆LiDAR成像、生物光子学和FLIM研究工作,以及医疗领域各种不同的相关活动。新的单光子雪崩二极管(SPAD)器件可使得整个近红外(NIR)波段的灵敏度均得到加强,关键波长850纳米和905纳米的灵敏度分别提高40%和35%。免责声明: 凡注明来源本网的所有作品,均为本网合法拥有版权或有权使用的作品,欢迎转载,注明出处。非本网作品均来自互联网,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。