东芝推出了 200A 40V 0.66mΩmax 汽车级 n 沟道 MOSFET

　　采用 7 x 8.44 x 2.3mm 鸥翼封装，可处理 600A 脉冲。

　　采用 STOGL 封装的东芝汽车 MOSFET

　　“转向、制动和自动驾驶系统等汽车安全关键应用通常需要比其他系统更多的设备来满足冗余要求。由于尺寸限制，这里需要具有高电流密度的功率 MOSFET，”该公司表示，并解释道：“200A 额定值高于东芝 6.5 x 9.5mm DPAK+ 封装所实现的额定值。”
　　该封装对于东芝来说是全新的，该封装将其命名为“S-TOGL”，意为“小型晶体管轮廓鸥翼引线”。
　　其内部无柱并具有多引脚源极引线结构以降低电阻。鸥翼引线用于通过减少安装应力来提高汽车环境中焊点的可靠性。
　　该晶体管是 XPJR6604PB，它将封装与采用东芝 U-MOS IX-H 工艺制造的芯片相结合，以实现 530μΩ 典型值和 660μΩ 最大导通电阻（10V 栅极、100A 漏极）。
　　该公司表示，“与东芝现有的 TO-220SM(W) 封装 TKR74F04PB 相比，尺寸减少了约 11%”，“与该器件相比，安装面积减少了约 55%，同时保留了通道到外壳的空间”热阻特性。”
　　XPJR6604PB 和早期的 TKR74F04PB 的通道至外壳热阻均为 0.4°C/W。
　　XPJR6604PB 的栅极额定电压也为 6V，导通电阻通常为 0.75mΩ，最大值为 1.16mΩ。
　　XPJ1R004PB 是一款类似器件，同样采用 S-TOGL，额定值为 40V、160A、480A 脉冲、1.0mΩmax（10V 栅极、80A 漏极）和 0.67°C/W。
　　这两款新器件均通过 AEC-Q101 认证，通道工作温度可达 175°C。
　　为了并行使用，可以运输门阈值范围不超过 400mV 的零件卷。