ROHM开发出可更大程度激发GaN器件性能的超高速栅极驱动器IC

　　全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款超高速驱动GaN器件的栅极驱动器IC“BD2311NVX-LB”。

　　近年来，在服务器系统等领域，由于IoT设备的需求日益增长，电源部分的功率转换效率提升和设备的小型化已经成为重要的社会课题，而这就要求功率元器件的不断优化。另外，不仅在自动驾驶领域，在工业设备和社会基础设施监控等领域应用也非常广泛的LiDAR*1，也需要通过高速脉冲激光照射来进一步提高识别精度。
　　在这类应用中，必须使用高速开关器件，因此，ROHM在推出支持高速开关的GaN器件的同时，还开发出可更大程度地激发出GaN器件性能的超高速驱动栅极驱动器IC。不仅如此，ROHM还会不定期推出更小型的WLCSP*2产品，助力应用产品的小型化。
　　新产品实现了纳秒（ns）量级的栅极驱动速度，从而使GaN器件可实现高速开关。之所以能实现该特性，离不开ROHM对GaN器件的深入研究以及对栅极驱动器IC性能的追求。通过最小栅极输入脉宽为1.25纳秒的高速开关，助力应用产品实现小型化、进一步节能和更高性能。
　　另外，新产品通过采用ROHM自有的驱动方式、搭载栅极输入波形过冲*3（一直以来的难题）抑制功能，可以防止因过电压输入而导致的GaN器件故障；通过集成ROHM的EcoGaN，还可以简化配套产品的设计，有助于提高应用产品的可靠性。不仅如此，针对多样化的应用需求，还可以通过调整栅极电阻，来选择理想的GaN器件。