Rohm 开发了一系列 5 个 100V 双 MOSFET

　　Rohm 开发了一系列 5 个 100V 双 MOSFET，用于风扇电机驱动器中的单相或三相桥。
　　罗姆双MOSFET
　　其中四种是采用 5 x 6mm 或 3.3 x 3.3mm 封装的双 n 沟道，一种是采用同一 5 x 6mm 封装的 1 个 n 沟道和 1 个 p 沟道 MOSFET。
　　该公司表示：“近年来，通信基站和工业设备中的电压从传统的 12V 和 24V 过渡到 48V 系统，旨在通过减少电流来实现更高的效率。” “在这些情况下，开关 MOSFET 需要具有 100V 的耐受电压，以应对电压波动。”
　　我们已努力降低导通电阻（见表），同时比双单 MOSFET TO-252 封装占用的空间少得多。
　　该公司表示，这些双MOSFET“通过采用具有出色散热特性的新型背面散热封装，实现了业界最低的Rds(on)”，该公司正在开发40、60、80和150V双MOSFET。