新型半导体构建的 200A 1.2kV 双向开关模块

　　该产品名为 IPA01216DFx-HS，采用行业标准的 62mm 封装，其中包括隔离驱动电路，“与 IGBT 模块相比具有显着优势，包括更低的损耗和固有的双向性”，该公司表示。
　　IdealPower B-tran IGBT 比较诊断更新：

　　该模块旨在取代背靠背 IGBT，并具有两个输入 – IN1 和 IN2（左图），旨在以与两个 IGBT 栅极类似的方式驱动（下图）。

　　“IN1 和 IN2 是控制设备开关所需的唯一逻辑电平输入，”该公司告诉《电子周刊》。“IN1 和 IN2 模仿共发射极/共源 IGBT 或 MOSFET 模块中的标准 G1 和 G2。”
　　IdealPower B-tran IGBT 比较表
　　该模块的次级侧需要 VDRV 上的 12V 电源，当使用 IN1/IN2“打开”器件时，通过该电源可消耗高达 6A 的电流。
　　“6A 是全功率时的最大电流，”Ideal 说道。“内部集成驱动器根据驱动 B-Tran 器件的需要调节驱动电流。客户可以选择通过向电源模块提供外部信号来在轻负载条件下降低驱动功率。”
　　理想的 IPA01216DFx-HS 封装
　　初级侧需要 12V、100mA 和幅度为 3 至 12V 的 PWM 逻辑信号（推荐 12V）。
　　开关方面，饱和电压为 0.6V（0.8Vmax），电流为 160A（Tj=25°C），预计使用频率高达 35kHz（建议≤20Khz）。
　　开启和关闭延迟分别为20ns和100ns，则上升时间为60ns，下降时间为200ns。开启和关闭能量分别为1.7和4.3mJ。
　　包括过流保护、欠压保护和温度传感。
　　Ideal 首席执行官 Dan Brdar 表示：“我们第二款产品的推出标志着 Ideal Power 和我们的技术的另一个商业化里程碑。” “我们期待明年该产品的首次商业销售——我们推出产品之际，可再生能源、能源存储和电动汽车充电正处于采用的早期阶段。OEM 正在寻找更高效的功率半导体来提高其产品的效率。”