ROHM首次推出硅电容器“BTD1RVFL系列”

    全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新开发出在智能手机和可穿戴设备等领域应用日益广泛的硅电容器。利用ROHM多年来积累的硅半导体加工技术，新产品同时实现了更小的尺寸和更高的性能。

    随着智能手机等应用的功能增加和性能提升，业界对于支持更高安装密度的小型元器件的需求日益高涨。硅电容器采用薄膜半导体技术，与多层陶瓷电容器（MLCC）相比，具有厚度更薄且电容量更大的特点。由于其稳定的温度特性和出色的可靠性，这种产品的应用越来越广泛。ROHM预测硅电容器的市场规模将在2030年增长至3000亿日元※，约达到2022年规模的1.5倍，因此采用自有的半导体工艺开发出小型且高性能的硅电容器。
    ROHM的硅电容器采用能以1μm为单位进行加工的自有微细化技术RASMID*1，消除了外观成型过程中的缺陷，并实现了±10μm以内的高精度尺寸公差。由于产品尺寸波动很小，因此能够支持更窄的安装间距；另外通过将连接电路板的背面电极扩大至封装的边缘部位，还提高了安装强度。
    第一波产品“BTD1RVFL系列”的尺寸仅为0402（0.4mm×0.2mm），是业界超小尺寸的表面贴装型量产硅电容器。与0603尺寸的普通产品相比，其安装面积减小约55%，仅为0.08mm2，非常有助于应用产品的小型化。另外，新产品还内置TVS保护器件，可确保出色的ESD*2耐受能力，减少浪涌对策等电路设计工时。
    “BTD1RVFL系列”包括电容量为1000pF的“BTD1RVFL102”和电容量为470pF的“BTD1RVFL471”，已从2023年8月开始以月产50万个的规模投入量产（样品价格：800日元/个，不含税）。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.（日本滋贺工厂），后道工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福冈县）。