Navitas 最近推出了具有单片集成栅极驱动器的第四代 GaN 功率晶体管

    该公司以 GaNsafe 为品牌，增强了与驱动器集成的保护功能，并采用 10 x 10mm TOLL 封装，并采用定制内部引线框架（下图）。

    初始产品的额定电压为 650V（800V 瞬态），涵盖 35 至 98mΩ 的 Rds(on)（下表），针对 1 至 22kW 的应用。预计开关频率高达 2MHz。
    集成保护包括短路、过温、欠压锁定、20V 输入和 2kV HBM ESD（HBM、1kV CDM）。短路保护被描述为“50ns”和“300ns 去饱和”–迄今为止，仅提供了四种初始设备的部分细节。纳维表示，它们现在正在提供样品，但仅限于“合格的客户”。
    除此之外，开和关 dV/dt 现在由驱动器控制 - 在最初的四引脚器件中内部设置，但被描述为“可编程”。