罗姆推出集成驱动和功率管的650V氮化镓功率级IC

时间:2023-09-04
    ROHM 开发了内置 650V GaN HEMT 和栅极驱动器的功率级 IC - BM3G0xxMUV-LB 系列。 这些器件非常适合工业和消费应用(例如数据服务器和交流适配器)内的主电源。
    在过去的几年里,消费者和工业部门越来越需要更多的能源节约,以实现可持续发展的社会。 虽然 GaN HEMT 有望显着促进小型化和提高功率转换效率,但与硅 MOSFET 相比,栅极驱动的难度较大,需要使用专用的栅极驱动器。 为此,ROHM 开发了功率级 IC,利用核心功率和模拟技术,将 GaN HEMT 和栅极驱动器集成到单个封装中,从而大大简化了设计与安装。

  

    除此之外,BM3G0xxMUV-LB 系列(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)还集成了额外的功能和外围组件,旨在最大限度地提高 GaN HEMT 性能以及 650V GaN HEMT(下一代功率器件)。 ROHM 的宽驱动电压范围(2.5V 至 30V)等功能可与主电源中的几乎所有控制器 IC 兼容,从而有助于替换现有的硅(超级结)MOSFET。 这使得可以同时减少55%的元件体积和功率损耗,以更小的尺寸实现更高的效率。
    台达电子 PSADC(功率半导体应用开发中心)总经理ISAAC LIN说道,“GaN器件作为对设备小型化、节能化做出巨大贡献的器件,受到业界的广泛关注。”
    ROHM的新产品利用ROHM独创的模拟技术,实现了高速且安全的栅极驱动。 这些产品将进一步推动GaN功率器件的使用。

上一篇:LTC6813-1可测量到多达18颗串接电池连接的监视器
下一篇:贸泽电子开售适合无线物联网应用的STMicroelectronics STEVAL-MKBOXPRO套件

免责声明: 凡注明来源本网的所有作品,均为本网合法拥有版权或有权使用的作品,欢迎转载,注明出处。非本网作品均来自互联网,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。