onsemi NXH006P120MNF2PTG半桥SiC模块

    安森美 (onsemi) NXH006P120MNF2PTG半桥SiC模块具有两个6mΩ 1200V SiC MOSFET开关和1个热敏电阻，采用F2封装。这些SiC MOSFET开关采用M1技术，由18V至20V栅极驱动。NXH006P120MNF2模块采用平面技术，裸片热阻低，因此可靠性高。典型应用包括直流-交流转换、直流-直流转换、能量存储系统、UPS、交流-直流转换、电动汽车充电站和太阳能逆变器。

    特性
    稳健的M1平面SiC MOSFET技术
    采用平面技术，裸片热阻低，因此可靠性高
    18V至20V栅极驱动
    20V工作电压，可降低损耗
    18V，与其他模块兼容
    规范
    工作结温范围：-40°C至+175°C
    漏极-源极电压：1200V
    最大功耗：950W
    连续漏极电流：304A
    应用
    直流-交流转换
    直流-直流转换
    交流-直流转换
    UPS
    储能系统
    电动汽车充电站
    太阳能逆变器