英飞凌最近发布了第 7 代 IGBT 的 650V H 变体

    根据消息，第 7 代的总数达到了两个电压范围的三个类别：
    H7为650V和1.2kV，T7为650V和1.2kV，S7为1.2kV。
    “T7 和 S7 都定义了 SCWT [短路耐受时间]，这是慢速开关应用（通常是驱动应用）的特定要求，”该公司告诉《电子周刊》。“在 H7 中，我们牺牲了 SCWT 功能，以便在最高开关条件下获得最高性能的器件，而这通常是太阳能串式逆变器、电动汽车充电站和储能系统等应用所必需的。”
    它指出 NPC1（中性点钳位）拓扑特别合适。
    英飞凌 EC7 发射极控制二极管与所有第 7 代 IGBT（到目前为止）共同封装的是全额定“EC7”发射极控制二极管。
    几乎随机选择了 650V 498W（25°C，249W 100°C）IKQ120N65EH7，它采用 TO-247 Plus 封装（上图），IGBT 的典型结到壳功率为 0.23K / W，典型结到壳功率为 0.31K/W。 W为二极管。
    预计工作频率为 16 至 100kHz。
    通常，120A 饱和度在 25°C 时为 1.4V，在 175°C 时为 1.6V。
    总开关能量约为 8-10mJ (120A 400V)
    在驱动侧，典型栅极电荷为 251nCQ（15Vg、520Vc、120A Ic）。
    二极管峰值反向恢复电流下降率为~2,380A/μs（400V 120A Rg=10Ω），二极管反向恢复能量为0.46mJ（400V 120A 25°C）或1.38mJ（175°C）。
    该设备列出的应用范围扩展到工业不间断 PSU 和焊机。
    650V H7 系列的电流额定值范围为 40A 至 150A，封装包括 TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus（包括上述）和 TO-247-4 Plus。
    英飞凌表示，4 引脚 TO-247 封装“不仅可以降低开关损耗，还具有较低的电压过冲、最小化的传导损耗和最低的反向电流损耗等优点”。
    它补充说，“根据相关测试，特别是HV-H3TRB”，防潮性符合工业JEDEC47/20/22标准。