全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1,开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。
近年来,为了实现可持续发展的社会,对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求,GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。然而,与Si MOSFET相比,GaN HEMT的栅极处理很难,必须与驱动栅极用的驱动器结合使用。在这种市场背景下,ROHM结合所擅长的功率和模拟两种核心技术优势,开发出集功率半导体——GaN HEMT和模拟半导体——栅极驱动器于一体的Power Stage IC。该产品的问世使得被称为“下一代功率半导体”的GaN器件轻轻松松即可实现安装。新产品已于2023年6月开始量产(样品价格4,000日元/个,不含税)。另外,新产品及对应的三款评估板(BM3G007MUV-EVK-002、BM3G007MUV-EVK-003、BM3G015MUV-EVK-003)已开始网售,在Ameya360等电商平台可购买。
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