NSREC：用于太空的 40V 抗辐射 GaN 功率晶体管

    EPC7001具有4mΩ导通电阻、60A（250A 300μs脉冲25°C）容量，占用面积7mm 2
    EPC7002 开启至 14.5mΩ，可通过其 1.87mm 2占位面积处理 10A（62A 300μs 脉冲 25°C）
    “与传统硅解决方案相比，EPC 的抗辐射器件表现出卓越的抗辐射能力，”EPC 表示。“这两款新器件的总剂量辐射额定值均超过 1,000k Rad(Si)，LET 的 SEE 抗扰度为 83.7MeV/mg/cm 2，Vds 高达额定击穿值的 100%。”
    上述尺寸适用于芯片级封装（照片、插图），采用 95% Pb 5% Sn 焊料。姊妹公司 EPC Space 提供封装版本。
    较大的封装（60A 部件）的结壳热阻为 0.8°C/W，较小的封装为 3.6°C/W。
    两者的栅极均可应对 -4 和 +6V（最大值），并且旨在以 5V 驱动，其中 60A 器件的漏电流在 125°C 时通常为 200μV（最大值 3mA），而 10A 器件的漏电流通常为 60μV（最大值 3mA）。
    总栅极电荷通常为 11nC (30A 5Vg 20Vd)，对于较小的器件则为 2.9nC (10A)。
    预计其应用领域包括 DC-DC 电源转换器、电机驱动器、激光雷达和离子推进器。EPC 表示：“它们特别适合在近地轨道和地球同步轨道运行的卫星以及航空电子系统。”