650V SiC 肖特基二极管压降 1.2V

 

   据该公司介绍，在这个名为TRSxxx65H的系列中，采用了一种新的肖特基金属，并且与第二代相比，改变了结势垒结构以降低电场，从而减少泄漏。

    标称最大连续电流在 2A 至 12A 之间的版本可供选择，其中七个采用 TO-220-2L 封装，五个采用表面贴装 DFN8×8 封装。
    在每个器件的标称最大电流下，典型正向电压为 1.2V (1.35Vmax)，在 150°C 时通常升至 1.36。
    “第三代产品改善了 Vf 和总电容电荷之间的权衡，TRS6E65H 的总电容电荷通常为 17nC，”东芝在描述 6A TO-220 版本时说道。17nC 是在 400V、25°C、1MHz 条件下测得的，其中电容为 22pF。
    同样的TRS6E65H在25°C 650V（70μAmax）时通常泄漏1.1μA，在150°C时通常升至10μA。可处理高达 310A 的非重复正向浪涌（10μs 25°C – 12A 类型为 640A），或 150°C 下的 36A 50Hz 半正弦浪涌。
    “这些新器件专门用于对效率至关重要的工业设备应用，包括开关电源、电动汽车充电站和光伏逆变器。