Toshiba - 东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET，适用于快充设备

    东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。

    锂离子电池组依靠高度稳定的保护电路来减少充放电时产生的热量，以提高安全性。这些电路必须具有低功耗和高密度封装的特性，同时要求MOSFET小巧纤薄，且具有更低的导通电阻。
    SSM14N956L采用东芝专用的微加工工艺，已经发布的SSM10N954L也采用该技术。凭借业界领先[1]的低导通电阻特性实现了低功耗，而业界领先[1]的低栅源漏电流特性又保证了低待机功耗。这些特性有助于延长电池的使用时间。此外，新产品还采用了一种新型的小巧纤薄的封装TCSPED-302701（2.74mm×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）。
    东芝将继续开发用于锂离子电池组供电设备中的保护电路的MOSFET产品。
    应用
    -      家用电器采用锂离子电池组的消费类电子产品以及办公和个人设备，包括智能手机、平板电脑、充电宝、可穿戴设备、游戏控制器、电动牙刷、迷你数码相机、数码单反相机等。
    特性
    -      业界领先的[1]低导通电阻：RSS(ON)＝1.1mΩ（典型值）@VGS＝3.8V
    -      业界领先的[1]低栅源漏电流：IGSS＝±1μA（最大值）@VGS＝±8V
    -      小型化超薄TCSPED-302701封装：2.74mm×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）
    -      共漏极结构，可方便地用于电池保护电路