Transphorm发布业界首款1200伏GaN－on－Sapphire器件的仿真模型

    该器件已准备就绪：为Transphorm的创新常关型氮化镓平台应用于新一代汽车和三相电力系统
    高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始规格书。TP120H070WS功率管是迄今为止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体，领先同类产品。这款产品的发布展现Transphorm有能力支持未来的汽车电力系统，以及已普遍用于工业、数据通信和可再生能源市场的三相电力系统。与替代技术相比，这些应用可受益于1200伏氮化镓器件更高的功率密度及更优异的可靠性、同等或更优越的性能，以及更为合理的成本。Transphorm近期已验证了氮化镓器件在100kHz开关频率的5kW 900伏降压转换器中更高的性能。1200伏氮化镓器件实现了98.7%的效率，超过了具有类似额定值的量产SiC MOSFET。

  

    创新的1200伏技术也展现了Transphorm在氮化镓功率转换方面的领先地位。垂直整合模式、自有外延片生产能力、以及专利工艺技术，再加上数十年的工程专业知识，使该公司能够将性能最优异的氮化镓器件组合推向市场，并且还在以下四个方面具有重大差异化优势：可制造性、易驱动性、易设计和可靠性。