ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT！

    全球知名半导体制造商ROHM（以下简称“ROHM”）将650V耐压的GaN（Gallium Nitride：氮化镓）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。
    据悉，电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。2022年，ROHM将栅极耐压高达8V的150V耐压GaN HEMT投入量产；2023年3月，又确立了能够更大程度地发挥出GaN性能的控制IC技术。此次，为了助力各种电源系统的效率提升和小型化，ROHM又推出器件性能达到业界超高水平的650V耐压GaN HEMT。
    新产品是ROHM与Delta Electronics, Inc. （以下简称“台达电子”）的子公司——专注于GaN元器件开发的Ancora Semiconductors Inc.（以下简称“碇基半导体”）联合开发而成的，在650V GaN HEMT的器件性能指数（RDS（ON）×Ciss / RDS（ON）×Coss*2）方面，达到了业界超高水平。因此，新产品可以大大降低开关损耗，从而能够进一步提高电源系统的效率。另外，新产品还内置ESD*3保护器件，将抗静电能力提高至3.5kV，这将有助于提高应用产品的可靠性。不仅如此，新产品还具有GaN HEMT器件的优势——高速开关工作，从而有助于外围元器件的小型化。
    新产品已于2023年4月起投入量产（样品价格 5,000日元/个，不含税），并已开始网售，通过Ameya360、Sekorm等电商平台均可购买。

   

    ROHM将有助于应用产品的节能和小型化的GaN器件命名为“EcoGaN?系列”，并不断致力于进一步提高器件的性能。另外，除了元器件的开发，ROHM还积极与业内相关企业建立战略合作伙伴关系并推动联合开发，通过助力应用产品的效率提升和小型化，持续为解决社会问题贡献力量。