Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同类产品中拥有出色的稳健性、易用性和高效率

    Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日宣布推出其 ICeGaN? 650 V 氮化镓 HEMT H2 系列产品，该器件具备业界领先的稳健性、易用性，可实现历史最高效率。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 智能栅极接口，该接口几乎消除了典型 e-mode GaN 的弱点，过压稳健性显著提高，可提供更高的噪声抗扰阈值，实现 dV/dt 抑制和 ESD 保护。与上一代器件相同，新型 650 V H2 ICeGaN 晶体管的驱动方式与 Si MOSFET 类似，无需复杂低效的电路，而是采用商用工业栅极驱动器。最后，与硅器件相比，H2 ICeGaN HEMT 的 QG 低 10 倍，QOSS 低 5 倍，这使得 H2 ICeGaN HEMT 在高开关频率下能大幅降低开关损耗，并缩小尺寸，减轻重量。基于这些优势，该产品在同类产品中具备领先的效率性能，并且与 SMPS 应用中业界出色的 Si MOSFET 相比，其性能提升了 2%。

    Giorgia longobardi | CGD 首席执行官兼联合创始人
    “CGD 借助 H2 系列 ICeGaN 确立了其创新领导地位。弗吉尼亚理工学院（Virginia Tech）的独立研究已证实，ICeGaN 是业界坚固耐用的 GaN 器件，并且可以像标准硅 MOSFET 一样驱动，简单易用，有助于市场迅速接纳此类新产品。GaN的效率优势广为人知， ICeGaN 在满载范围内的性能表现令人印象深刻。”
    ICeGaN H2 系列采用创新 NL3（空载和轻载）电路，与 GaN 开关一同集成在片上，功耗创历史新低。采用（片上）集成米勒钳位的先进箝位结构，无需负栅极电压，可实现真正的零电压关断，并提高动态 RDS(ON) 性能。这些 e-mode（常关）单芯片 GaN HEMT 包含单片集成接口和保护电路，因此具备卓越的栅极可靠性，并且可以简化设计。最后，电流检测功能可降低功耗，并允许直接接地，以优化散热和 EMI 性能。