三菱电机开始提供集成SBD的SiC－MOSFET模块样品

    三菱电机宣布将于5月31日开始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模块样品，该半桥模块额定电压为3.3kV，绝缘耐压为6.0kVrms。将有助于为铁路、电力系统及大型工业变流系统提供更大功率密度、更高效率和可靠性。该产品正在PCIM Europe 2023（5月9-11日，德国纽伦堡）上展出。

  

    3.3kV 集成SBD SiC-MOSFET 模块
    近年来，为降低全球社会范围内的碳排放，功率半导体器件正越来越多地被用于高效电力变换场合，特别是在重工业中，这些器件被用于变流器设备，如轨道牵引中的变流系统和直流输电系统。其中，SiC功率半导体能够大幅降低功率损耗，人们对其期待很高。此外，对于大型工业设备，为了进一步提高其转换效率，对高效率功率半导体模块的需求不断增加。
    为进一步为大型工业变流设备的高功率输出、高效率和高可靠性做出贡献，三菱电机开发了这款SiC MOSFET模块，采用内置SBD的SiC MOSFET芯片和优化的内部封装结构，能有效降低开关损耗，将很快开始提供样品。至此，三菱电机3.3kV LV100封装共包含4款SiC MOSFET模块和2款Si IGBT模块。

    产品特点     

   集成SBD的SiC-MOSFET，降低功率损耗，提高变流器输出功率、效率和可靠性

     采用集成SBD的SiC MOSFET和优化的封装结构，与公司现有的硅功率模块相比，开关损耗降低了91%*4，与现有的全SiC功率模块相比降低了66%*5，从而降低了变流器功率损耗，并有助于提高输出功率和效率。
     集成SBD的SiC MOSFET和优化的电流容量提高了变流器的可靠性。
     优化的端子布局，适用于不同容量大小的变流器
     优化的端子布局利于并联连接，通过并联不同的数量实现变流器的灵活功率配置。
     直流和交流主端子布置在两端的封装设计，有助于简化电路设计。