三星第二代3nm工艺芯片比4nm工艺芯片快22%

    据业内消息透露，三星计划在“2023国际VLSI研讨会”上展示第二代3nm工艺芯片的预备展示材料。这些芯片比当前的4nm工艺芯片快22%，节能34%，并且芯片尺寸减少了21%。这是三星首次将其未来的芯片制造工艺与最初的4nm工艺进行比较，这一消息意义重大。
    据韩媒pulsenews报道，业内专家谨慎地评价三星的最新成就，认为这是其技术能力的重大进步，尤其是考虑到与台积电的竞争。三星半导体业务总裁兼负责人Kyung Kye-hyun在韩国科学技术院（KAIST）演讲时也提到了与台积电的竞争，他表示，三星的4nm技术落后台积电两年，而我们的3nm技术大约落后一年。但当台积电进入2nm工艺时，情况将发生变化。客户对GAA技术很满意，几乎所有的大公司都在与我们合作。
    Kyung Kye-hyun还指出，三星也在努力提高其芯片封装技术，以保持领先于竞争对手。他补充说道，随着半导体工艺小型化变得越来越困难，性能最终将通过封装来提高。三星的技术能力和竞争力将继续得到提升，为未来的芯片制造业带来更多的可能性。