英飞凌自主生产 600V GaN 晶体管

    该公司表示：“分立式和集成式功率级器件组合为设计人员提供了必要的灵活性，以满足他们对符合 JEDEC 标准 JESD47 和 JESD22 的工业应用的特定需求。”
    提供 DSO-20-85、DSO-20-87、HSOF-8-3、LSON-81- 和 TSON-8 封装，Rds(on) 值范围从 42 到 340mΩ（最大值）。
    在半桥中，两个 GaN 开关封装在 TIQFN-28 封装中，Rds(on) = 190 – 650mΩ max (x2)。
    热增强型 TIQFN-21 中的单通道类型跨度为 130 – 340mΩ。
    顶部和底部冷却的 JEDEC 兼容封装均可用（例如，分别为 DSO-20-87 和 DSO-20-85）。
    “TSC 功率封装在市场上是独一无二的，可以满足更高的功率要求，”英飞凌表示，尽管刚刚提到的封装中 IGOT60R042D1（T=顶部冷却）和 IGO60R042D1（底部冷却）的数据表具有完全相同的 250W 额定值（25 °C) 和 0.5°C/W 结壳电阻。Electronics Weekly 向英飞凌询问了这里的情况。
    预计将应用于服务器、电信和太阳能 PSU，以及消费类充电器和适配器、电机驱动器、电视、监视器??和 LED 照明。