Transphorm推出六款可与e－mode设备实现引脚对引脚兼容的SuperGaN FET产品

    Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)是一家提供高可靠性、高性能氮化镓（GaN）功率转换产品的领军企业和全球供应商。公司宣布推出六款表面贴装器件（SMD），采用行业标准PQFN 5x6和8x8封装。这些SMD提供Transphorm专利SuperGaN? d-mode双开关常闭式平台所带来的可靠性和性能优势，并采用为竞品e-mode GaN器件常用的封装配置。因此，这六款设备可在e-mode GaN解决方案中轻松用作第一设计源，或用作引脚对引脚兼容的插拔式替换和/或第二来源。
     对于需要SuperGaN平台的额外热性能的电源系统，Transphorm另提供采用经优化Performance封装的SMD。无论何种封装，所有Transphorm器件都具有易于设计和驱动的特点，因为d-mode配置使用的是与GaN HEMT配对的低电压Silicon MOSFET。该平台配置还允许使用标准的现成品控制器和/或驱动器，进一步提升了Transphorm系列产品的卓越驱动性和可设计性。
      Transphorm业务拓展和营销高级副总裁Philip Zuk表示：“Transphorm持续生产强大的GaN器件组合，覆盖了  当今最广泛的功率范围。通过推出这些行业标准封装，我们进一步巩固了我们的低功率策略，而在此前，我们刚刚发布了与Weltrend半导体共同开发的SiP封装。现在客户可以选择如何利用SuperGaN的优势，不论是通过Performance封装、引脚对引脚e-mode兼容的行业标准封装还是通过系统级封装。”
      SuperGaN插拔式替换的优势
     经证明，用SuperGaN d-mode FET替换e-mode器件能够降低传导损耗，提供更高的性能和更低的工作温度，从而实现更长的寿命可靠性。这是由于与e-mode GaN常闭式设备相比，d-mode GaN常闭式设备从根本上具有内在的优势。最近的一次直接比较便可为此提供证明，该测试用72 mΩ SuperGaN技术替换了280W游戏笔记本电脑充电器的50 mΩ e-mode设备：https://bit.ly/diraztbISP。
充电器分析中，SuperGaN FET可以在控制器的输出电压范围内工作（而e-mode需要电平转换），且温度更低。SuperGaN的电阻温度系数（TCR）约比e-mode低 25%，有助于降低传导损耗。此外，外围元件数量减少了20%，表明原材料成本也更低。
   行业标准的SMD系列产品
   Transphorm的行业标准PQFN设备清单如下：

   这些设备共享的主要特点包括：
   ·  符合JEDEC标准
  ·  动态RDS(on)eff生产测试
  ·  市场领先的稳健设计，宽栅极安全裕度，瞬态过电压能力
  ·  极低的逆向恢复电荷
   ·  减少交叉损耗
目标应用
72 mΩ FET的优化设计适用于数据通信、广泛的工业、光伏逆变器、伺服电机、计算系统和普通消费类应用。
150、240和480 mΩ FET的优化设计适用于功率适配器、低功率开关电源、照明和低功率消费类应用。