追求高效率的高功率应用持续向更高功率密度及成本最佳化发展,也为电动汽车等产业创造了永续价值。为了应对相应的挑战,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY)宣布其高压MOSFET 适用的 QDPAK 和 DDPAK 顶部冷却 (TSC) 封装已成功注册为 JEDEC 标准。这项举措不仅进一步巩固了英飞凌将此标准封装设计和外型的TSC 封装推广至广泛新型设计的目标,也给OEM 厂商提供了更多的弹性与优势,帮助他们在市场中创造差异化的产品,并将功率密度提升至更高水准,以支持各种应用。
英飞凌科技高电压封装首席工程师Ralf Otremba表示:“作为解决方案提供商,英飞凌持续通过创新的封装技术和制程,对半导体产业发挥影响力。我们先进的顶部冷却封装为器件和系统层级带来显著的优势,能够满足尖端高功率设计的挑战性需求。封装外形的标准化可确保不同厂商设计的引脚兼容性——这是OEM厂商在高电压应用所面对的主要设计考量之一,由此可以让OEM厂商不再需要在这一方面耗费心力。”半个多世纪以来,JEDEC组织持续领导全球微电子产业进行各项技术,包括封装外型的开放式标准的开发以及出版物编写工作。JEDEC广泛纳入了各种半导体封装,例如 TO220 和 TO247 通孔器件 (THD)——这类器件在过去几十年来受到广泛采用,目前仍是新型车载充电器 (OBC) 设计、高压 (HV) 和低压 (LV) DC-DC 转换器的设计选项。
QDPAK和DDPAK表面贴装(SMD)TSC封装设计的成功注册,标志着封装外形将迎来崭新纪元,将推动市场更广泛地采用 TSC 技术以取代 TO247 和 TO220。凭借这一技术优势以及根据MO-354 标准,此项新 JEDEC 注册封装系列将成为高压工业和汽车应用过渡至下一代平台中顶部冷却设计的重要推手。免责声明: 凡注明来源本网的所有作品,均为本网合法拥有版权或有权使用的作品,欢迎转载,注明出处。非本网作品均来自互联网,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。