ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率

   新推出40V～150V耐压的共13款产品，非常适用于工业设备电源和各种电机驱动
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1产品（40V/60V/80V/100V/150V），这些产品非常适合驱动以24V、36V、48V级电源供电的应用，例如基站和服务器用的电源、工业和消费电子设备用的电机等。

    近年来，全球电力需求量持续增长，如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题，这就要求不断提高各种电机和基 站、服务器等工业设备的工作效率。在这些应用中，中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率损耗的两项主要参数，但对于普通的MOSFET而言，由于导通电阻与芯片尺寸成反比，Qgd会成比例增加，因此很难同时兼顾这两项参数。针对这个课题，ROHM通过微细化工艺、采用铜夹片连接、改进栅极结构等措施，改善了两者之间的权衡关系。
    新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron）*2，相比以往产品，导通电阻降低了50%。另外，通过改进栅极结构，Qgd*3（栅-漏电荷，通常与导通电阻之间存在权衡关系）也比以往产品减少了约40%（Ron和Qgd均为耐压60V的HSOP8封装产品之间的比较）。这可以降低开关损耗和导通损耗，非常有助于各种应用产品的高效率工作。例如，当在工业设备用电源评估板上比较电源效率时，新产品在稳态工作时的输出电流范围内，实现了业界超高的电源效率（峰值时高达约95%）。
    新产品已于2023年1月开始暂以月产100万个的规模投入量产（样品价格500日元/个，不含税）。另外，新产品也已开始电商销售，从Ameya360，Sekorm， Oneyac，RightIC等电商平台均可购买。
    未来，ROHM将继续开发导通电阻更低的MOSFET，通过助力各种设备降低功耗和更加节能，为环境保护等社会问题贡献力量。