Mouser - 贸泽即日起备货安森美EliteSiC碳化硅解决方案

    专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权代理商贸泽电子即日起备货安森美 (onsemi) EliteSiC 碳化硅 (SiC) 系列解决方案。EliteSiC产品系列包括二极管、MOSFET、IGBT和SiC二极管功率集成模块 (PIM)，以及符合AEC-Q100标准的器件。这些器件经过优化，可为à·°òI 和¤u应用提供高可靠性和高性能。
    可再生能源和大功率工业应用需要高击穿电压 (BV)，1700V NTH4L028N170M1  EliteSiC MOSFET就可以提供这样的特性。NTH4L028N170M1的最大栅极至源极电压 (VGS) 范围为-15V至+25V，适用于栅极电压达到-10V的快速开关应用，从而提高系统可靠性。1700V EliteSiC MOSFET在1200V、40A测试条件下的栅极电荷 (Qg) 仅为200nC，在快速开关、大功率可再生能源应用中具有很高的效率。
    NDSH25170A和NDSH10170AEliteSiC肖特基二极管的额定BV为1700V，在最大反向电压 (VRRM) 和重复峰值反向电压之间具有更大的容限。这些器件还使设计人员能够在高温下实现稳定的高压操作，并且不会影响SiC的高效率。
    无论是电动汽车充电站、利用可再生能源的电网，还是高压/大电流的工业驱动应用，安森美EliteSiC都能实现出色的效率，并降低功率损耗。
    贸泽在过去两年中提供了超122,000个新物料编号。如需进一步了解安森美EliteSiC器件，敬请访问
    如需进一步了解NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET，敬请访问

    如需进一步了解NDSH25170A和NDSH10170A 1700V EliteSiC肖特基二极管，敬请访问