Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管

时间:2023-04-20
    基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管,主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准,可应对高电压和高电流应用带来的挑战,包括开关模式电源、AC-DC和DC-DC转换器、电池充电基础设施、不间断电源和光伏逆变器,并提高持续运行性能。例如,相比仅使用硅基解决方案的数据中心,配备采用Nexperia PSC1065K SiC肖特基二极管设计电源的数据中心将更加符合严格的能源效率标准。

    PSC1065K具备不受温度影响的电容开关和零恢复性能,提供先进的性能以及出色的品质因数(QC x VF)。其突出的开关性能几乎不受电流和开关速度变化的影响。PSC1065K的合并PIN肖特基(MPS)结构还具备其他优势,例如出色的浪涌电流耐受能力,从而无需额外的保护电路。这些特性可显著降低系统复杂性,使硬件设计人员能够在耐用型高功率应用中,以更小的外形尺寸实现更高的效率。Nexperia作为一系列高质量半导体技术产品的供应商,声誉良好,值得设计人员信赖。
    这款SiC肖特基二极管采用真2引脚(R2P) TO-220-2通孔电源塑料封装。其他封装选项包括表面贴装(DPAK R2P和D2PAK R2P)和采用真2引脚配置的通孔(TO-247-2)封装,可在高达175°C的高压应用中增强可靠性。
    Nexperia SiC产品组高级总监Katrin Feurle表示:“在当前可用的解决方案中,我们提供的高性能SiC肖特基二极管表现优异,对此我们倍感自豪。随着人们的能源意识日渐增强,我们正致力于为市场带来更多选择和便利性,以满足市场对高容量、高效率应用显著增加的需求。”
    Nexperia计划不断增加其SiC二极管产品组合,包括工作电压为650 V和1200 V、电流范围为6-20 A的和车规级器件。新款SiC二极管现可提供样品,并于近日开始量产。
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