CGD 生产的易于使用、坚固耐用的 ICeGaN GaN HEMT 现已大量上市

    Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂半导体公司，开发了一系列基于 GaN 的节能功率器件，以实现更环保的电子产品。今天宣布其 ICeGaN 智能 HEMT、单片集成功率解决方案现已可以批量出货。此外，业界首个易于使用和可扩展的 650V GaN HEMT 系列也有望成为业界最耐用的 GaN 平台。

    CGD 创始人兼首席执行官 Giorgia Longobardi 博士表示：“我们早已发现了氮化镓的主要价值。Cambridge GaN Devices 公司所开发的可靠易用器件，可以帮助设计工程师利用 GaN 提供效率优势，并为可持续发展提供相关产品和系统。”
    与其他分立或混合解决方案不同，CGD 的 ICeGaN HEMT 为完全集成的纯 GaN 器件。这种方法可带来以下关键优势：首先，器件稳定、可靠、驱动简单，可以使用内部 GaN 接口连接到栅极。器件还可表现出 3 V 左右的高电压性能，消除了开机时的损坏风险，并拥有高达 20 V 的扩展电压范围。此外，芯片上还包括电流感应、用于安全关断和栅极保护的米勒钳位，以及集成的 ESD 保护。最后，无需负电压要求，就可以避免动态 RDS(on) 随时间推移而退化。
    与其他 GaN 器件相比，低侧和半桥拓扑结构的设计者可以标准化硅栅极驱动器并减少 BOM 数量。
    CGD 的 ICeGaN HEMT 目前可按生产订单批量生产和分销，产品拥有一系列独特的内在功能，使器件的可靠性远高于目前最先进的 GaN 竞争产品。这是由于其具有较高的电压阈值和较高的电压范围，在较低的温度下具有较强的栅极电压箝位作用，具有较高的栅极过压裕度以及较高的 dV/dt 和 dI/dt 抗扰度。由于暴露于动态 Ron 应力下的时间较少，因此直流电压的灵活性(9-20 V) 和高效的电流感应也有助于实现业界领先的器件坚固性。
    CGD 创始人兼首席执行官 Giorgia Longobardi 博士表示：“我们的使命是作出决定并实施高效、可持续的解决方案。我们的目标是实现四个关键价值：可持续发展、知识、创新与合作。ICeGaN 智能 HEMT 系列的单片集成功率解决方案实现了我们的短期目标，客户已就其易用性对我们进行了反馈，‘CGD 的 GaN 可以在我们的 65W 系统上工作，并支持类似于硅的高栅极驱动电压。’现在我们很高兴地宣布，目前我们的 ICeGaN 器件已大批量上市，欢迎世界各地的工程师选购。”
    关于 Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices（简称 CGD)是一家是从剑桥大学分化出去的无晶圆半导体公司，由 Florin Udrea 教授和 Giorgia Longobardi 博士于 2016 年创立，公司成立的初衷是开发一项与功率器件有关的革命性技术。我们的使命是通过轻松高能效 GaN 解决方案，将创新融入日常生活。CGD 投身 GaN 晶体管和 IC 的设计、开发和商业化运作，能够激发能效和紧凑性层面的根本性变革，确保产品适合投入大批量生产。CGD 的 ICeGaN? 技术有强大的知识产权储备作为保护——作为一家拥有远大抱负的公司，CGD 依靠领先的创新技能不断充实完善其知识产品储备。除了数百万的种子基金和 A 轮私人投资之外，CGD 迄今已成功拿下了四个 iUK、BEIS 和 EU (Penta) 资助项目。CGD 团队专业实力过硬，熟悉商业运营规律，在功率电子市场积累了广泛的口碑基础，这些都是其专有技术能够迅速展现市场牵引力的资本。