铠侠和WD推出世界上最快的3D NAND闪存

   

   铠侠和西部数据有 透露 他们共同开发的具有218个有源层的第8代BiCS 3D NAND存储设备。新IC拥有创纪录的3200 MT / s接口速度，使开发人员能够构建高性能存储子系统（例如 业界最快的客户端固态硬盘） 使用较少的 3D NAND 芯片。为了实现 3200 MT/s 的 I/O，两家公司借鉴了 YMTC 的 Xtacking 一书。

    本周推出的首款第 8 代 BiCS 3D TLC NAND 设备具有 1Tb （128GB） 容量、四平面架构，可最大限度地提高内部并行性和性能，以及 3200 MT/s 接口速度（将提供 400 MB/s 的峰值顺序读/写速度）。铠侠和西部数据是全球首家推出具有3200 MT/s I/O的闪存IC的3D NAND制造商，比竞争对手高出33%。
    但是，虽然制造世界上最快的3D NAND存储设备本身就是一项成就，但有趣的是两家公司是如何实现这一目标的。铠侠和西部数据的第8代BiCS 3D NAND存储器采用一种名为CBA（CMOS直接绑定到阵列）的创新架构，类似于YMTC公认的Xtacking。
    通常，3D NAND单元阵列位于其外围电路（如页面缓冲器，检测放大器，电荷泵和I / O）的旁边或顶部。同时，从半导体制造的角度来看，使用相同的制造技术制造存储器和外围逻辑并不完全有效。CBA和Xtacking架构涉及使用最佳生产节点在单独的晶圆上生产3D NAND单元阵列和I / O CMOS，这使其能够最大限度地提高存储器阵列的位密度和I / O性能。
    除了业界最快的I / O之外，Kioxia和Western Digital声称他们最新的3D NAND IC也拥有业界最高的位密度，尽管没有详细说明我们正在研究的位密度。同时，值得注意的是，推出的第8代BiCS 3D TLC NAND可以在3D TLC和3D QLC模式下工作，因此可以潜在地解决高性能/高容量的高级客户端和企业级SSD，以及用于客户端PC或高密度数据中心级存储应用程序的廉价但快速的驱动器。
    铠侠表示，它已开始与一些选定的客户一起对其第8代BiCS 3D NAND存储设备进行样品。但是，该公司尚未提供有关其最新闪存开始大批量生产的时间表的任何信息。由于闪存和SSD控制器制造商需要很长时间才能将前者与后者配对，因此NAND生产商通常会在大规模生产开始之前就透露新型内存。也就是说，预计第 8 代 BiCS 3D NAND 将在 2024 年的某个时候上市，尽管我们在这里推测。
    “通过我们独特的工程合作伙伴关系，我们成功推出了业界最高位密度的第八代BiCS闪存，”铠侠公司首席技术官Masaki Momodomi说。“我很高兴铠侠开始为有限的客户提供样品。通过应用CBA技术和扩展创新，我们推进了3D闪存技术组合，用于各种以数据为中心的应用，包括智能手机、物联网设备和数据中心。