纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K

    纳芯微全新推出GaN相关产品，包含GaN驱动NSD2621与集成化的Power Stage产品NSG65N15K，均可广泛适用于快充、储能、服务器电源等多种GaN应用场景。
    其中，NSD2621是一颗高压半桥栅极驱动芯片，专门用于驱动E?mode（增强型）GaN 开关管；NSG65N15K是一颗集成化的Power Stage产品，内部集成了高压半桥驱动器和两颗650V耐压的GaN开关管。

   

    NSD2621产品特性：
    01. SW引脚耐压±700V
    02. 峰值驱动电流2A/-4A
    03. 驱动输出集成内部稳压器，驱动电压5V/5.5V/6V可选
    04. 传输延时典型值30ns，上下管驱动传输延时匹配低于10ns
    05. 内部可调死区时间20ns~100ns
    06. SW允许共模瞬变高达150V/ns
    07. 独立的SGND和PGND引脚
    08. 集成欠压保护和过温保护
    09. 工作温度范围-40°C~125°C
    10. QFN15 4*4mm封装