索尼半导体解决方案公司(下称“索尼”)已成功开发出全球首创*1的双层晶体管像素堆叠式CMOS图像传感器技术。传统CMOS图像传感器的光电二极管和像素晶体管分布在同一基片,而索尼的新技术将光电二极管和像素晶体管分离在不同的基片层。与传统图像传感器相比,这一全新的结构使饱和信号量*3约提升至原来的2倍,扩大了动态范围并降低噪点,从而显著提高成像性能。采用新技术的像素结构,无论是在当前还是更小的像素尺寸下,都能保持或是提升像素现有的特性。
*1: 截至2021年12月16日发布时间。
*2: 基于公司之前的图像传感器和应用新技术的索尼背照式CMOS图像传感器之间特性的比较(换算为1um), 截至2021年12月16日发布时间。
*3: 单个像素的最大电子存储容量。
索尼在2021年12月11日(星期六)开始的IEEE国际电子设备会议上宣布了这一突破性技术。
■ 堆叠式CMOS图像传感器结构
(传统的)堆叠式CMOS图像传感器的堆叠式结构中,背照式像素组成的像素芯片堆叠在逻辑芯片之上,而信号处理电路构成了逻辑芯片。在像素芯片内,用于将光转换为电信号的光电二极管和用于控制信号的像素晶体管在同一基片层并列。在这样的结构限制下,如何实现饱和信号量的最大化,对实现高动态范围、高图像质量的摄影具有重要作用。
免责声明: 凡注明来源本网的所有作品,均为本网合法拥有版权或有权使用的作品,欢迎转载,注明出处。非本网作品均来自互联网,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。