ShinDengen -单个封装搭载两个第4代MOSFET器件的Dual MOSFET发售

   

    新电元工业株式会社即将发售用于各种车载ECU的MOSFET“LF Dual”系列。
    该系列在完美继承本公司原有产品低损耗、大电流特点的同时，通过在单个封装上搭载双器件，因而在车载电机驱动用、马达ECU（喷油器驱动）、防逆接逆流继电器等各类用途中，有助于通过小型化和减少部件数量而实现轻量化。
    此外，通过采用鸥翼形状的引脚端子，实现了适合车载用途的高可靠性贴装。
    该系列目前在出样阶段，预定2021年12月开始量产。

    ■概要
    随着脱碳等环保法规更加严格，汽车的电动化和无人驾驶趋势正在飞速发展，每辆汽车上搭载的半导体数量正在急剧增加。要求这些半导体低损耗、大电流的同时，通过高效率化来实现电路的小型化和部件数量的减少。
    为了满足此类市场的需求，本公司开发了符合车载可靠性标准AEC-Q101的40V/60V耐压小型低导通阻抗双器件结构的功率MOSFET“LF_Dual”系列。

    该系列在第4代功率MOSFET(EETMOS4)的基础上进一步改善特性，通过低阻抗高散热效果的Cu排夹连接，在降低导通阻抗的同时，还将性能指数（FOM：Figure Of Merit）即导通阻抗与总栅极电荷量的乘积降低了25%。通过在小型封装上搭载2个这样的器件，贴装面积和部件数量均比使用单体封装时减少了50%，有助于电路的小型化和轻量化。
    此外，它通过可润湿侧翼结构来提高焊锡润湿的可视性，并通过封装引脚前端部的镀层处理来实现优异的焊锡润湿性，以及通过采用鸥翼形状的引脚端子，实现了车载部件基板贴装所要求的焊接牢固性，从而使高可靠性贴装成为可能。
    ■ 特長
    在单个装上搭载两个低损耗功率MOSFET
    与使用单体器件×2个相比，可减少贴装面积和部件数量。
    有助于电路小型化与轻量化。
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    新结构 在第4代功率MOSFET基础上进一步改善特性
    与本公司之前的产品相比，通过进一步减小容量， FOM（Ron×Ciss）降低25%。
    有助于降低开关损耗。
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    采用Cu排夹结构
    通过大幅降低阻抗和提高散热性，实现了小型化和导通阻抗的降低。

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    鸥翼形状的引脚端子
    通过缓解基板应力以及通过可润湿侧翼结构来提高焊锡润湿的可视性，实现了高可靠性贴装。

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    可替换现有封装
    与SOP8或HSON类型封装的外形类似，因此替换很方便。
    符合AEC-Q101要求/ Tch=175℃保证
    ■ 推荐用途
    各种车载ECU控制部分、风扇电机、LED大灯等
    ■外形尺寸图及等效电路图（単位：mm）
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    外形尺寸图

 

    等效电路图
    ■ 发售时间
    2021年12月