Toshiba东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块，助力实现尺寸更小，效率更高的工业设备

    东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；后者额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。作为东芝首批具有上述额定电压的产品，它们与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成了1200V、1700V和3300V器件产品线。

    这两种新模块在安装方式上兼容广泛使用的硅（Si）IGBT模块。两种新模块的低损耗特性满足了工业设备对提高效率、减小尺寸的需求，例如用于轨道车辆的转换器和逆变器以及可再生能源发电系统。

    应用：

    -      用于轨道车辆的逆变器和转换器

    -      可再生能源发电系统

    -      电机控制设备

    -      高频DC-DC转换器

    特性：

    -      安装方式兼容Si IGBT模块

    -      损耗低于Si IGBT模块

    MG600Q2YMS3

    VDS(on)sense＝0.9V（典型值）@ID＝600A，Tch＝25℃

    Eon＝25mJ（典型值），Eoff＝28mJ（典型值）@VDS＝600V，ID＝600A，Tch＝150℃

    MG400V2YMS3

    VDS(on)sense＝0.8V（典型值）@ID＝400A，Tch＝25℃

    Eon＝28mJ（典型值），Eoff＝27mJ（典型值）@VDS＝900V，ID＝400A，Tch＝150℃

    -      内置NTC热敏电阻

    ?主要规格：

    （除非另有说明，@Tc＝25℃）

    器件型号

    MG600Q2YMS3

    MG400V2YMS3

    封装

    2-153A1A

    jue对很大额定值

    漏极-源极电压VDSS（V）

    1200

    1700

    栅极-源极电压VGSS（V）

     25／-10

     25／-10

    漏极电流（直流）ID（A）

    600

    400

    漏极电流（脉冲）IDP（A）

    1200

    800

    结温Tch（℃）

    150

    150

    隔离电压Visol（Vrms）

    4000

    4000

    电气特性

    漏极-源极导通电压（感应）

    VDS(on)sense典型值（V）

    @VGS＝ 20V，

    Tch＝25℃

    0.9

    @ID＝600A

    0.8

    @ID＝400A

    源极-漏极导通电压（感应）

    VSD(on)sense典型值（V）

    @VGS＝ 20V，

    Tch＝25℃

    0.8

    @IS＝600A

    0.8

    @IS＝400A

    源极-漏极关断电压（感应）

    VSD(off)sense典型值（V）

    @VGS＝-6V，

    Tch＝25℃

    1.6

    @IS＝600A

    1.6

    @IS＝400A

    开通损耗

    Eon典型值（mJ）

    @Tch＝150℃

    25

    @VDS＝600V，

    ID＝600A

    28

    @VDS＝900V，

    ID＝400A

    关断损耗

    Eoff典型值（mJ）

    @Tch＝150℃

    28

    @VDS＝600V，

    ID＝600A

    27

    @VDS＝900V，

    ID＝400A

    热敏电阻特性

    额定NTC电阻 R典型值（kΩ）

    5.0

    5.0

    NTC B值 B典型值（K）

    @TNTC＝25℃-150℃

    3375

    3375