您知道飞兆半导体的SiC特性吗？

　　飞兆半导体的SiC特性包括：

　　●经过优化的半标准化自定义技术解决方案，可充分利用自身较大的半导体器件与模块封装技术组合

　　●凭借功能集成和设计支持资源简化工程设计难题的先进技术，可在节约工程设计时间的同时限度地减少元器件数量。

　　●具有尺寸、成本和功率优势的较小型先进封装集成了的器件技术，可满足器件制造商和芯片组供应商的需求

　　在飞兆半导体SiC组合中首先要发布的一批产品是先进的SiC双极结型晶体管(BJT)系列，该系列产品可实现较高的效率、电流密度和可靠性，并且能够顺利地进行高温工作。 通过利用效率出色的晶体管，飞兆半导体的SiC BJT实现了更高的开关频率，这是因为传导和开关损耗较低(30-50%)，从而能够在相同尺寸的系统中实现高达40%的输出功率提升。

　　这些强健的BJT支持使用更小的电感、电容和散热片，可将系统总体成本降低多达20%。 这些业界的SiC BJT性能出众，可促进更高的效率和出色的短路及逆向偏压安全工作区，将在高功率转换应用的功率管理优化中发挥重大作用。

　　飞兆半导体还开发了即插即用的分立式驱动器电路板(15A和50A版本)，作为整套碳化硅解决方案的一部分，与飞兆半导体的先进SiC BJT配合使用时，不仅能够在减少开关损耗和增强可靠性的条件下提高开关速度，还使得设计人员能够在实际应用中轻松实施SiC技术。飞兆半导体为缩短设计时间、加快上市速度，还提供了应用指南和参考设计。应用指南可供设计人员获取SiC器件设计所必需的其他支持;参考设计有助于开发出符合特定应用需求的驱动器电路板。

　　SiC BJT和其他SiC

　　有史以来效的1200 V功率转换开关

　　●的总损耗，包括开关、传导及驱动器损耗

　　●所有1200 V器件中的开关损耗(任意RON条件下)

　　简单直接的驱动

　　●常关功能降低了风险和复杂程度，并减少了限制性能的设计

　　●稳定的基极输入，对过压/欠压峰值不敏感

　　强健且可靠

　　●额定工作温度高：Tj=175℃

　　●由于RON具有正温度系数，增益具有负温度系数，因此易于并联

　　●稳定持久的Vbe正向电压和反向阻隔能力

　　封装和报价信息(订购1,000个，美元)

　　飞兆半导体的SiC BJT采用TO-247封装;符合条件的客户从现在起即可获取工程设计样本。