IGBT是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品

　　IGBT模块是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，想知道哪两方面的优点具体请点击：https://jmcx.dzsc.com/

　　IGBT是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式器件，具有驱动容易、控制简单、开关频率高、导通电压低、通态电流大、损耗小等特点。它付出较小的功率就能控制高电压和大电流，并且能够根据实际需求进行变化，采用IGBT进行功率变换，能够提高用电效率和质量，节能效果十分明显，在家电领域，可比普通的变频家电节电30%，在轨道交通、智能电网、航空航天、船舶驱动、新能源装备等行业采用IGBT的大型功率变流装置，节电和节能效果也十分明显。因此IGBT被称为功率变流产品的“CPU”、“绿色经济之核”。据介绍，作为轨道交通牵引主流器件，3300伏等级的IGBT器件在大功率电力机车、城市轨道交通领域具有广泛的应用前景，未来十年中国轨道交通牵引市场每年对3300伏等级的IGBT模块需求量为10到20万只/年，年市场容量15个亿左右。
　　
　　由于我国IGBT技术及产业化发展较晚，加之技术门槛难度之高、投入之大，目前中国市场的IGBT产品基本依赖进口，国内有数家从事中小功率IGBT产品组装企业，且未形成产业规模，在大功率IGBT模块封装技术上，也只有包括中国南车在内的少数企业所掌握，而在IGBT芯片技术及后期系统运用上，国内仅有中国南车掌握。中国南车也因此成为国内一家全面掌握IGBT芯片技术研发、模块封装测试和系统应用的企业。