罗门哈斯全新低缺陷省耗材的研磨垫设计助力90nm以下工艺制造

时间:2008-09-18

  罗门哈斯电子材料公司(Rohm and Haas Electronic Materials)旗下的研磨技术事业部(CMP Technologies)是半导体行业化学机械研磨(CMP)技术领域的者和创新者。该部门日前宣布,其新型化学机械研磨垫表面沟槽设计能够减少缺陷和研磨液的用量,现已迅速得到各地市场的认可。各地的客户现在开始采用这些能显著改善工艺性能的新型表面沟槽设计,以降低缺陷,延长研磨垫的使用寿命,减少化学机械研磨易耗品的总体成本。

  罗门哈斯公司的这种能减少缺陷的表面沟槽设计已得到欧洲、韩国、北美、台湾地区客户的认可,大批量投入生产。该设计方案现已应用于罗门哈斯公司90纳米工艺节点及更精密节点的IC1000 AT化学机械研磨垫,多家客户目前还在VisionPad系列化学机械研磨垫上测试这款能够减少缺陷的表面沟槽设计方案。

  同时,公司最近推出的能减少研磨液用量的表面沟槽设计也引发了市场的浓厚兴趣,多家客户现在已经开始对此进行测试。台湾集成电路制造商和其他客户的测试结果符合预期目标,研磨液消耗量减少了30%,但研磨性能依然优异。

  罗门哈斯电子材料公司亚太区研磨技术事业部执行副总裁兼总经理Mario Stanghellini说,“我们的研磨垫产品是业内功能最强最可靠的,这些新颖的表面沟槽能满足客户的具体需求,帮助他们达到甚至超过性能和成本的要求。为了应对极为复杂的表面研磨问题,我们正在测试一个能够修正轮廓的表面沟槽设计,该设计方案可以应对客户具体的工艺问题,而且不需要客户修改集成方案。相比现有其他解决方案而言,这是一个显著的竞争优势。”

  这个能够减少缺陷的表面沟槽设计的创新特色就是一个面积不变的螺旋图样,已针对晶圆规模和表面沟槽规模的流体力学进行了优化。这一设计方案有效消除了晶圆上的局部压力,限度减少了刮痕和缺陷,缺陷率最多可降低50%。

  另一款表面沟槽设计以专门的流动试验和计算流体模型为基础,能够减少研磨液用量,使金属工艺中易耗品的成本减少30%以上。要想达到这样的性能,就得让更多研磨液到达晶圆的前缘,提高研磨垫和晶圆之间空隙内研磨液的利用率,并在给定的研磨去除率条件下降低对研磨液流速的要求。

  罗门哈斯公司的新型表面沟槽设计可用于各类VisionPad和IC1000 AT垫产品,还可根据客户要求和现有易耗品装置或在理想的工艺条件下进行定制。化学机械研磨技术事业部团队与客户紧密合作,为每套工艺寻找的表面沟槽设计和研磨垫产品。

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