共创NAND闪存技术

　　随着技术的发展，而光刻节点变得越来越小了，制造NAND存储器也变得越来越复杂。电荷捕获型NAND预期将取代目前主流的浮动门NAND技术，而恒忆在NOR闪存技术上的丰富经验将对此作出积极贡献。要应对这个挑战，存储器供应商需要在未来五年更深入地了解器件的物理性能和整体存储器系统级解决方案。

　　方案

　　近日，恒忆(Numonyx)宣布与海力士(Hynix)半导体公司达成为期五年的协议，在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。根据新协议，恒忆和海力士将扩大联合开发的范围，共同提供NAND存储器技术和产品，并且整合资源以加快未来NAND技术及解决方案的开发。在应用于手机多芯片封装的移动DRAM领域，双方也将进行合作。针对NAND技术在未来五年面临的挑战，两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品，进行技术创新。

　　应用

　　恒忆软件技术将有助于存储器供应商达到上述要求，并对市场渗透产生正面影响，提升microSD、eMMC和SSD等集成NAND解决方案的市场份额。恒忆与海力士的合作将带来重大的整合效应，而恒忆在解决非易失性存储器挑战方面有40年的历史并且在开发固件、微控制器和其他系统解决方面拥有丰富的经验，这些因素都将在NAND从原始芯片向系统的转变中起关键作用。

　　目前两家公司在中国无锡的合资企业正计划生产300毫米低功耗移动DRAM。针对移动设备的解决方案中均采用了与多芯片封装中的非易失性存储器进行普通堆叠的移动DRAM。在移动DRAM上的合作让两家公司能够向需要小型设备的客户提供更多成本效益高的低功耗多芯片存储器子系统。海力士在今年四月份推出了世界上速度的1Gb LPDDR2产品，成为移动DRAM产品行业的。其在产品多样化、技术、性能以及兼容SDR/DDR接口方面保持，提供单芯片解决方案。