发光二极管芯片材料磊晶种类

时间:2008-08-08

  1、LPE:Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP

  2 、VPE:Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs

  3 、MOVPE:Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN

  4 、SH:GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs

  5 、DH:GaAlAs/GaAs Double Heterostructure, (双异型结构) GaAlAs/GaAs

  6、 DDH:GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure,  (双异型结构) GaAlAs/GaAlAs

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