韩美联合科研组成功研发三维集成电路技术

　　韩美两国联合科研组成功开发了将半导体电路堆叠，使半导体集成度得到提高的同时，减少批量生产成本的三维集成电路（3D-IC）商用化技术。

　　纳米综合Fab中心、美国风险企业BeSang和斯坦福纳米Fab（SNF）11日下午在首尔洲际大酒店召开记者会表示，通过三维单一芯片集成电路，开发了可代替互补性氧化金属半导体（CMOS）技术的3D-IC商用化技术。

　　在平面硅板形成电路的二维半导体，因小型化所致的成本上升及技术问题等，无法进一步实现小型化，因此半导体业界一直在研究三维半导体技术。

　　但三维半导体制造技术，需要高温制造环境，且半导体层之间易出现缺陷，因此至今未能实现商用化。

　　但韩美研究组以180纳米技术和8英寸硅半导体晶片，在400摄氏度以下低温环境形成了三维集成电路。

　　研究组当天公开了利用新技术在180纳米级8英寸硅晶片堆叠1.28亿个立式半导体器件（两层）的三位集成电路。

　　纳米综合Fab中心表示：“3D-IC技术形成立式半导体电路，这不仅提高单位面积上的集成度，还进行了堆叠，使集成度达到普通半导体的数十倍。”

　　该中心还表示：“此项技术将彻底改变截至目前的二维半导体集成电路生产体系，它不仅能够显著降低半导体生产成本，还将影响未来的几代技术。”