卓芯微电子(Innova-Semi)推出P型MOSFET集成肖特基产品RCRH010FA 和RCRH003FB。P沟道增强型场效应管采用高密度DMOS生产工艺,具有极低的导通电阻,并且在低至1.8V的栅极电压下仍可正常开启。配合使用的肖特基芯片采用Low VF工艺,同时具有的反向漏电特性。
该两款产品主要应用在充电电路,DC/DC 转换器和LED控制电路。整个器件在正向导通时具有很低的正向压降,不仅满足使用USB接口进行充电的要求,同时具有极低的功率耗散,提升整个系统的能效。
这两款产品已广泛应用于手机充电线路部分,主要适用于基于MTK平台、ADI平台、Spreadtrum平台以及部分TI平台和Infineon平台的方案中。其基本电路如图所示:
电源管理器件通过控制栅极电压来控制充电电流,肖特基二极管可防止电流倒灌。RCRH010FA采用DFN3×2封装(3.0×2.0×0.8mm),RCRH0003FB采用DFN2×2封装(2.0×2.0×0.55mm),相比同类产品,具有以下优势:
采用了更薄的封装,适用于超薄机型设计;
在器件腹部增加了散热片,大幅提升器件额定功耗和散热能力,防止PCB热损伤,提升整机安全性。
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